تفاصيل الوثيقة نوع الوثيقة : مقال في مجلة دورية  عنوان الوثيقة : Growth and characterisation of ZnSe semiconductor nanowires Growth and characterisation of ZnSe semiconductor nanowires   الموضوع : فيزياء  لغة الوثيقة : الانجليزية  المستخلص : The growth and characteristics of wide gap II-VI semiconductor nanowires prepared by the so-called Vapour-Liquid-Solid (VLS) technique was presented ZnSe nanowires were prepared on Si (111) by using Au as catalyst. Vapor-Liquid-Solid (VLS) process under certain conditions to form the desired nanowires. The as-synthesized products were characterized by SEM and EDX. The SEM analysis of ZnSe nanowires indicated that nanowires grow randomly at angles widely different from the vertical.  ردمد : 1812-5654  اسم الدورية : Journal of Applied Sciences  المجلد : 11  العدد : 7  سنة النشر : 1432 هـ 2011 م  نوع المقالة : مقالة علمية  تاريخ الاضافة على الموقع : Sunday, June 10, 2012  الباحثون اسم الباحث (عربي) اسم الباحث (انجليزي) نوع الباحث المرتبة العلمية البريد الالكتروني فاتن إبراهيم الحازمي Al-Hazmi, Faten E باحث دكتوراه fialhazmi@kau.edu.sa الملفات اسم الملف النوع الوصف  33563.pdf pdf Abstract الرجوع إلى صفحة الأبحاث